ANDRES DE LUNA BUGALLO



DATOS GENERALES
Nombre completo   ANDRES DE LUNA BUGALLO
Máximo nivel de estudios   DOCTORADO
Antigüedad académica en la UNAM   3 años
NOMBRAMIENTOS
Vigente   INVESTIGADOR ASOCIADO C TC No Definitivo
Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada
Desde 01-07-2021
ESTIMULOS, PROGRAMAS, PREMIOS Y RECONOCIMIENTOS
* SNI II2022 - 2024
* EQUIVALENCIA PRIDE B2021 - 2024
INFORMACIÓN DE PUBLICACIONES
Firmas  
Bugallo, AD Bugallo, Andres De Luna De Luna Bugallo A. De Luna Bugallo, A. De Luna Bugallo, Andres de Luna-Bugallo A.
De Luna-Bugallo, Andres de-Luna-Bugallo A.
ORCID's  
0000-0002-7591-5235
Áreas de conocimiento  
Chemistry, multidisciplinary Engineering, electrical and electronic Materials science, coatings and films Materials science, multidisciplinary Multidisciplinary sciences
Optics Physics, applied Physics, condensed matter Polymer science Toxicology
Acoustics and ultrasonics Condensed matter physics Electrical and electronic engineering Engineering (miscellaneous) Health, toxicology and mutagenesis
Materials chemistry Mechanical engineering Mechanics of Materials Medicine (miscellaneous) Multidisciplinary
Physics and Astronomy (miscellaneous) Polymers and plastics
Coautorías con entidades de la UNAM  
  • Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada
 Revistas en las que ha publicado  (21):
  1. 2D MATERIALS, Reino Unido (2021, 2022, 2023)
  2. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, Estados Unidos America (2022, 2024)
  3. ACS PHOTONICS, Estados Unidos America (2019)
  4. ADVANCED MATERIALS INTERFACES, Alemania (2023)
  5. APPL PHYS EXPRESS, Japón (2012, 2015)
  6. APPLIED PHYSICS LETTERS, Estados Unidos America (2014, 2022)
  7. ENVIRONMENTAL TOXICOLOGY AND CHEMISTRY, Estados Unidos America (2024)
  8. FlatChem, Países Bajos (2021, 2022)
  9. International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves, Estados Unidos America (2017)
  10. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, Estados Unidos America (2024)
  11. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, Reino Unido (2019)
  12. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Reino Unido (2024)
  13. NANO LETTERS, Estados Unidos America (2014)
  14. Nanotechnology, Reino Unido (2012, 2014, 2024)
  15. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, Alemania (2020)
  16. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, Alemania (2022)
  17. PLOS ONE, Estados Unidos America (2023, 2024)
  18. POLYMER INTERNATIONAL, Estados Unidos America (2022)
  19. Science Advances, Estados Unidos America (2015)
  20. SCIENTIFIC REPORTS, Reino Unido (2024)
  21. SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, Suiza (2019)


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# Título del documento Autores Año Revista Fuente Citas WoS Citas Scopus
1Effect of Thickness and Thermal Treatment on the Electrical Performance of 2D MoS2 Monolayer and Multilayer Field-Effect TransistorsCoautor: De Luna Bugallo A., Martínez B.A.M., Salazar M.F., Rao M.G.S., et al.2024JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALSWoS-id: 001150315600003
Scopus-id: 2-s2.0-85182997489
32
2Mixed-Dimensional van der Waals Heterostructure (2D ReS2/0D MoS2 Quantum Dots)-Based Broad Spectral Range with Ultrahigh-Responsive PhotodetectorCoautor: Bugallo, AD, Polumati, G, Kolli, CSR, Flores, M, et al.2024ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACESWoS-id: 001200692000001
Scopus-id: 2-s2.0-85189951013
45
3Engineering surface state density of monolayer CVD grown 2D MoS2 for enhanced photodetector performanceCoautor: De Luna Bugallo A., Polumati G., Kolli C.S.R., Sahatiya P.2024PLOS ONEWoS-id: 001202876800006
Scopus-id: 2-s2.0-85190352141
32
4Enhancing Sensitivity and Selectivity in Pesticide Detection: A Review of Cutting-Edge TechniquesCoautor: De Luna Bugallo A., Ortiz-Martínez M., Molina González J.A., Ramírez García G., et al.2024ENVIRONMENTAL TOXICOLOGY AND CHEMISTRYWoS-id: 001217351000001
Scopus-id: 2-s2.0-85192560359
54
5Impact of graphene as 2D interlayer on the growth of GaAs by CSVT on Si (100) and GaAs (100) substratesCoautor: de-Luna-Bugallo A., Martínez-López A.L., Cruz-Bueno J.J., Trejo-Hernández R., et al.2024MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSINGWoS-id: 001253102300001
Scopus-id: 2-s2.0-85195485747
00
6Gate modulation of barrier height of unipolar vertically stacked monolayer ReS2/MoS2 heterojunctionCoautor: De Luna Bugallo A., Polumati G., Kolli C.S.R., Kumar A., et al.2024SCIENTIFIC REPORTSWoS-id: 001313354900074
Scopus-id: 2-s2.0-85204025082
22
7Improving the coverage area and flake size of ReS2 through machine learning in APCVDCoautor: Bugallo, AD, Salazar, MF, Frausto-Avila, CM, Bautista, JAD, et al.2024NanotechnologyWoS-id: 001329732600001
Scopus-id: 2-s2.0-85205741242
00
8Engineering surface state density of monolayer CVD grown 2D MoS2 for enhanced photodetector performance (vol 19, e0297825, 2024)Coautor: Bugallo, AD, Polumati, G, Kolli, CSR, Sahatiya, P2024PLOS ONEWoS-id: 001379809100022
Scopus-id: 2-s2.0-85213138214
00
9Modulation of Schottky Barrier Height by Nitrogen Doping and Its Influence on Responsivity of Monolayer MoS2 PhotodetectorCoautor: De Luna Bugallo A., Polumati G., Kolli C.S.R., Selamneni V., et al.2023ADVANCED MATERIALS INTERFACESWoS-id: 000935068700001
Scopus-id: 2-s2.0-85148533471
1212
10Interlayer charge transfer in supported and suspended MoS2/Graphene/MoS2 vertical heterostructuresCoautor: De Luna Bugallo A., Rocha Robledo A.K., Flores Salazar M., Muñiz Martínez B.A., et al.2023PLOS ONEWoS-id: 001038263300015
Scopus-id: 2-s2.0-85165668969
34
11Band type engineering using different stacking configurations of anisotropic and isotropic monolayer transition metal dichalcogenidesCoautor: Bugallo, Andres De Luna, Polumati, Gowtham, Martinez, Barbara A. Muniz, Kolli, Chandra Sekhar Reddy, et al.20232D MATERIALSWoS-id: 001075929500001
20
12Janus Monolayers of Transition Metal Dichalcogenides: A DFT Study2ᵒ autor: de Luna Bugallo, Andres, Angel Hernandez-Vazquez, Miguel, Olguin, Daniel2022PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICSWoS-id: 000719778400001
Scopus-id: 2-s2.0-85119173616
33
13Highly dispersible and fluorescent graphene-based materials obtained by underwater shock wave-induced oxidative cleavageCoautor: De Luna Bugallo, A., Ayala-Fonseca, A., Amieva E.J.C., Rodriguez-Gonzalez, C., et al.2022FlatChemWoS-id: 000754801400002
Scopus-id: 2-s2.0-85123632023
22
14Physicochemical properties of pullulan/chitosan/graphene oxide composite filmsCoautor: De Luna Bugallo A., Román-Doval R., Gómez-Sánchez A., Millán-Casarrubias E.J., et al.2022POLYMER INTERNATIONALWoS-id: 000757865900001
Scopus-id: 2-s2.0-85124833153
55
15International interlaboratory comparison of Raman spectroscopic analysis of CVD-grown grapheneCoautor: De Luna Bugallo A., Turner P., Paton K.R., Legge E.J., et al.20222D MATERIALSWoS-id: 000799481900001
Scopus-id: 2-s2.0-85131012246
1314
16Broadband, Ultra-High-Responsive Monolayer MoS2/SnS2Quantum-Dot-Based Mixed-Dimensional PhotodetectorCoautor: De Luna Bugallo, Andres, Kolli C.S.R., Selamneni, Venkatarao, A. Muñiz Martínez B., et al.2022ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACESWoS-id: 000800295400053
Scopus-id: 2-s2.0-85127900216
5661
17Thermal boundary conductance of CVD-grown MoS2 monolayer-on-silica substrate determined by scanning thermal microscopyCoautor: De Luna-Bugallo, Andres, Frausto-Avila, Christian Mateo, Arellano-Arreola, Victor M., Limon, Jose Martin Yanez, et al.2022APPLIED PHYSICS LETTERSWoS-id: 000817798300016
Scopus-id: 2-s2.0-85133499780
77
18Direct growth of monolayer 1T?2H MoS2 heterostructures using KCl-assisted CVD processCoautor: De Luna Bugallo A., Arellano Arreola V.M., Salazar M.F., Zhang T., et al.20212D MATERIALSWoS-id: 000625832900001
Scopus-id: 2-s2.0-85102554816
2420
19MoSe2 monolayer crystallinity improvement and phase engineering for ultrasensitive SERS detectionCoautor: Bugallo, Andres De Luna, Salazar, Mario Flores, Arreola, Victor M. Arellano, Panikar, Sandeep Surendra, et al.2021FlatChemWoS-id: 000703794800001
Scopus-id: 2-s2.0-85122823822
67
20Crystalline Truncated Micropyramids Grown from GaAs Liquid Phase on GaP (001) SubstratesCoautor: de Luna-Bugallo A., Rocha-Reina F.J., Castillo-Baldivia E.G., Del Pozo-Zamudio O., et al.2020PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCEWoS-id: 000572925700001
Scopus-id: 2-s2.0-85091534547
00
21Hybrid MoS2-gap-mode metasurface photodetectors2ᵒ autor: De Luna Bugallo A., Ni P., Yang X., Arellano Arreola V.M., et al.2019JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICSWoS-id: 000475390300001
Scopus-id: 2-s2.0-85073706393
1618
22Gate-Tunable Emission of Exciton-Plasmon Polaritons in Hybrid MoS2-Gap-Mode Metasurfaces2ᵒ autor: De Luna Bugallo A., Ni P., Arellano Arreola V.M., Salazar M.F., et al.2019ACS PHOTONICSWoS-id: 000476684300004
Scopus-id: 2-s2.0-85068471162
4338
23Chitosan-bioglass coatings on partially nanostructured anodized Ti-6Al-4V alloy for biomedical applicationsCoautor: De Luna Bugallo A., Estrada-Cabrera E., Torres-Ferrer L.R., Aztatzi-Aguilar O.G., et al.2019SURFACE & COATINGS TECHNOLOGYWoS-id: 000488409900045
Scopus-id: 2-s2.0-85069806771
2121
24Active metasurfaces for broadband terahertz detection at room temperatureCoautor: De Luna Bugallo A., Lara J.G.M., Genevet P., Cordier Y., et al.2017International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz WavesScopus-id: 2-s2.0-85033667584
00
25Metallic core conduction in unintentionally doped ZnO nanowire1ᵉʳ autor: De Luna Bugallo A., Donatini F., Sartel C., Sallet V., et al.2015APPL PHYS EXPRESSWoS-id: 000350091400031
Scopus-id: 2-s2.0-84922382529
1514
26Atomically thin layers of B?N?C?O with tunable composition2ᵒ autor: de-Luna-Bugallo A., Ozturk B., Panaitescu E., Chiaramonti A.N., et al.2015Science AdvancesScopus-id: 2-s2.0-85029939724
056
27Interplay of the photovoltaic and photoconductive operation modes in visible-blind photodetectors based on axial p-i-n junction GaN nanowires2ᵒ autor: De Luna Bugallo A., Jacopin G., Rigutti L., Lavenus P., et al.2014APPLIED PHYSICS LETTERSWoS-id: 000330431000104
Scopus-id: 2-s2.0-84893129621
2832
28Integrated photonic platform based on InGaN/GaN nanowire emitters and detectorsCoautor: De Luna Bugallo A., Tchernycheva M., Messanvi A., Jacopin G., et al.2014NANO LETTERSWoS-id: 000337337100083
Scopus-id: 2-s2.0-84902276988
167175
29Experimental and theoretical analysis of transport properties of core-shell wire light emitting diodes probed by electron beam induced current microscopyCoautor: De Luna Bugallo A., Lavenus P., Messanvi A., Rigutti L., et al.2014NanotechnologyWoS-id: 000337501200003
Scopus-id: 2-s2.0-84901989736
3338
30Single-wire light-emitting diodes based on gan wires containing both polar and nonpolar InGaN/GaN quantum wells2ᵒ autor: De Luna Bugallo A., Jacopin G., Lavenus P., Rigutti L., et al.2012APPL PHYS EXPRESSWoS-id: 000299312400023
Scopus-id: 2-s2.0-84862915110
5858
31Photovoltaic properties of GaAsP core-shell nanowires on Si(001) substrateCoautor: De Luna Bugallo A., Tchernycheva M., Rigutti L., Jacopin G., et al.2012NanotechnologyWoS-id: 000305411400008
Scopus-id: 2-s2.0-84862673262
3844
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Proyectos

# Nombre Participantes Convocatoria Fecha Inicio Fecha Fin
1Desarrollo e investigación de materiales bidimiensionales (2D) y su aplicación en dispositivos de estado sólido.ANDRES DE LUNA BUGALLO,
Presupuesto de la UNAM asignado a la Dependencia01-05-202130-04-2025
2Síntesis de heteroestructuras laterales basadas en materiales semiconductores 2D para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicosANDRES DE LUNA BUGALLO,
Recursos PAPIIT01-01-202231-12-2023
3Desarrollo de una plataforma portátil para la detección de glifosato basada en nanopartículas luminiscentesANDRES DE LUNA BUGALLO,
Recursos CONAHCyT05-09-202330-11-2024
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Docencia Impartida

# Entidad Nivel Asignatura Año Semestre Alumnos
1ESCUELA NACIONAL DE ESTUDIOS SUPERIORES, UNIDAD JURIQUILLA, QRTO.LicenciaturaTERMODINAMICA20232024-112
2ESCUELA NACIONAL DE ESTUDIOS SUPERIORES, UNIDAD JURIQUILLA, QRTO.LicenciaturaTEMAS SELECTOS DE MATERIALES20232023-211
3ESCUELA NACIONAL DE ESTUDIOS SUPERIORES, UNIDAD JURIQUILLA, QRTO.LicenciaturaTERMODINAMICA20222023-115
4Instituto de Investigaciones en MaterialesMaestríaMATERIALES ELECTRÓNICOS: PROPIEDADES ELECTRÓNICAS DE MATERIALES20222022-21
5Instituto de Investigaciones en MaterialesMaestríaINTRODUCCIÓN A LA MECÁNICA CÚANTICA20212022-13
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# Título del libro Título del capítulo ISBN Editorial Año Fuente