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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 501872 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 501872

Título del libro: 2017 Ieee 44th Photovoltaic Specialist Conference, Pvsc 2017
Título del capítulo: Anticipated graded emitter design for the efficient type HIT solar cells

Autores UNAM:
LUIS ANDRES GOMEZ GONZALEZ; BETSABEE MAREL MONROY PELAEZ; ATEET DUTT; GUILLERMO SANTANA RODRIGUEZ;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2018

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Palabras clave:

Energy gap; Plasma CVD; Semiconductor doping; Silicon compounds; Silicon solar cells; Solar cells; Thin films; Crystalline fractions; Deposition conditions; Diffusion length; Doping gradients; Optoelectronic properties; Plasma enhanced chemical vapor depositions (PE CVD); Polymorphous silicon; Silicon thin film; Plasma enhanced chemical vapor deposition

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Resumen:

In this work, we present the optoelectronic properties in polymorphpus silicon thin films grown by plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), starting from diclosorsilane and hydrogen as precursor gases. Variation in the band gap from 1.66 to 2.0 eV as a function of different deposition conditions were obtained. Raman spectrocopy was used to determine the crystalline fraction in the polymorphous silicon thin films. On the other hand the relation of photosensitivity with the RF power and the behavior of diffusion length were studied. A model of a new type of HIT solar cells with band gap and doping gradient is proposed. © 2017 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781509056057
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/PVSC.2017.8366077