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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 504286 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 504286

Título del libro: 2018 15th International Conference On Electrical Engineering, Computing Science And Automatic Control, Cce 2018
Título del capítulo: Structural, Morphological, Topographical, and Electrical Properties of Selenized Stacked CIGSe Layers by Evaporation Technique

Autores UNAM:
JORGE SERGIO NARRO RIOS;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2018

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Palabras clave:

Automation; Evaporation; Process control; Solar absorbers; Solar cells; Thin film solar cells; Chemical compositions; CIGSe; Growth mechanisms; Selenization; Selenization temperatures; Solar cell absorbers; Stacked layer; Strong dependences; Thin films

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Resumen:

Metallic elements copper (Cu), indium (In), and gallium (Ga) thin films for solar cell absorber layer were deposited by evaporation technique at ambient temperature and then the whole structure was selenized at various temperature ranging from 450 °C to 550 °C at different durations (30, 45 and 60 min). The effect of selenization on structural, morphological, topographical, and electrical properties of prepared films was studied. We observed a strong dependence of the properties of CIGSe films on the growth mechanism as well as the chemical composition. The results showed that 450 °C and 500 °C of selenization temperature was not sufficient for the inter-diffusion of all elements forming a good CIGSe absorber layer. Instead, the film selenized at 550 °C showed a better result which could be a good absorber layer for highly efficient CIGSe based thin film solar cells. © 2018 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781538670323
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ICEEE.2018.8533910