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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 505196 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 505196

Título del libro: 2018 Ieee 7th World Conference On Photovoltaic Energy Conversion, Wcpec 2018 - A Joint Conference Of 45th Ieee Pvsc, 28th Pvsec And 34th Eu Pvsec
Título del capítulo: Optoelectronic Properties Improvement of pm-Si:H Films with Silane Flux Variation

Autores UNAM:
GUILLERMO SANTANA RODRIGUEZ;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2018

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Palabras clave:

Deposition rates; Diffusion; Energy conversion; Metallic films; Photoelectrochemical cells; Photovoltaic cells; Silicon compounds; Bonding environment; Crystalline fractions; Exodiffusion; Flux variation; Optoelectronic properties; Photovoltaic devices; Polymorphous silicon; Structural and optical properties; Optical properties

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Resumen:

this work describes the effect of silane flux on pm-Si:H films deposited by pecvd, with 3.5 torr, 210 °C and silane flux between 16-40 sccm. The augment of the silane flux increase the deposition rate to 2.3 A/s. The crystalline fraction varies from 9% to 17%. Exodiffusion experiments were related to structural and optical properties to understand their growth by analysis of bonding environment. The hydrogen stability and its amount bonded in these films are enhanced as the flux decreases. The optical gap decrease from 1.76 to 1.7 eV with silane flux. These could improve the stability of photovoltaic devices. © 2018 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781538685297
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/PVSC.2018.8547895