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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 513836 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 513836

Título del libro: 2018 Ieee 7th World Conference On Photovoltaic Energy Conversion, Wcpec 2018 - A Joint Conference Of 45th Ieee Pvsc, 28th Pvsec And 34th Eu Pvsec
Título del capítulo: Study of CdS nanowires for use as window material in CdS/CdTe solar cells.

Autores UNAM:
GUILLERMO SANTANA RODRIGUEZ;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2018

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Palabras clave:

Bismuth; Cadmium sulfide; Energy conversion; Energy gap; High resolution transmission electron microscopy; II-VI semiconductors; Nanocatalysts; Nanoparticles; Nanowires; Photoluminescence; Scanning electron microscopy; Semiconductor materials; Solar cells; Tellurium compounds; Transmission electron microscopy; Band-gap emission; Bismuth nanoparticles; Catalytic methods; CdS/CdTe solar cells; Characteristic bands; Morphology and size; Photoluminescence spectrum; Vapor-liquid-solid; Cadmium sulfide solar cells

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Resumen:

CdS nanostructures were prepared using bismuth nanoparticles as catalyst with sizes of a few nanometers onto a CdS thin layer. Scanning electron microscopy (SEM) allowed observing the morphology and size of the obtained nanostructures. Transmission Electron Microscopy (TEM) permits us to determine that the growth mechanism is the vaporliquid-solid and in which part of the nanowire is the bismuth nanoparticle. Photoluminescence (PL) spectra were taken aa a function of temperatures. The PL-emission was very intense and presented two characteristic bands: One narrow peak related with the near band gap emission close to 2.5 eV and other wide band centered at around 2.00 eV which can be associated to defects. © 2018 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781538685297
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/PVSC.2018.8547308