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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 528915 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 528915

Título del libro: 2019 Ieee International Autumn Meeting On Power, Electronics And Computing, Ropec 2019
Título del capítulo: Comparison of two acid leaching processes toward indium recovery obtained from end-of-life In-Cell Touch smartphone displays

Autores UNAM:
ALEJANDRA CASTRO CARRANZA; ORLANDO HERNANDEZ CRISTOBAL;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2019

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Palabras clave:

Indium; Leaching; Molecular biology; Smartphones; Sulfuric acid; Acid leaching; Chemical mapping; End of lives; Leaching process; Thin film transistors

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Resumen:

In this work, leaching processes of thin-film-transistor (TFT) displays using nitric and sulfuric acid, respectively, for the purpose of indium recovery are studied. The substrates are extracted from end-of-life In-Cell Touch smartphone displays. Using EDS-SEM chemical mapping we have found that both acids can lead to the extraction of indium from the TFT matrixes. However, it is observed that sulfuric acid can remove almost 4% more indium than nitric acid under the same lixiviation conditions. © 2019 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781728128986
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ROPEC48299.2019.9057140