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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 615177 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 615177

Título del libro: 2009 6th International Conference On Electrical Engineering, Computing Science And Automatic Control, Cce 2009
Título del capítulo: Deposition of nanocrystalline-silicon by Cat-CVD method and its characterization

Autores UNAM:
VELUMANI SUBRAMANIAM;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2009

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Palabras clave:

Cat-CVD; Catalyst temperature; Catalytic chemical vapor deposition; Catalytic decomposition; Crystalline size; Hot filament; Hydrogenated amorphous silicon; Hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H); matrix; Micro Raman Spectroscopy; Micro-Raman; Nanocrystallines; Raman spectra; Reactant gas; Automation; Catalysts; Chemical vapor deposition; Control; Crystalline materials; Electrical engineering; Hydrogenation; Nanocrystalline alloys; Nanocrystalline silicon; Phase transitions; Process control; Raman scattering; Raman spectroscopy; Silicon alloys; Silicon compounds; Silicon oxides; Tantalum; X ray diffraction; Amorphous silicon

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Resumen:

Silicon and its related alloys deposited by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD), takes place upon thermo-catalytic decomposition of the reactant gases, i.e. silane (SiH4) and hydrogen (H2), at the surface of a hot filament. Tantalum (Ta) has been used as catalyst which resulted with better controllability from amorphous to crystalline-phase transition. Process for depositing hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon oxide (a-Si:O:H) matrix, as a function of both, Ta-catalyst, and substrate-temperatures are reported. The deposited samples were characterized by X-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy. Crystalline sizes were determined using a Sherrer's formula and Raman spectra for its size-related tendencies. As preliminary results, the range of crystallite formation starts at the catalyst temperature of 1700 - 1750°C.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781424446896
Editorial:
IEEE Computer Society

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ICEEE.2009.5393569