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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 615308 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 615308

Título del libro: 2010 27th International Conference On Microelectronics, Miel 2010 - Proceedings
Título del capítulo: Electrical properties of Au/C60/n-Si photodiode structures with pristine and dithioloctane-functionalized C60 nanolayers

Autores UNAM:
ELENA GOLOVATAYA DZHYMBEEVA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2010

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Palabras clave:

Capacitance voltage; Controlled size; Current flows; Current voltage; Effective height; Electrical property; Functionalized; Gold Nanoparticles; Local plasmon; Metal nanoparticles; Nano layers; Reverse currents; Series resistances; Si photodiodes; Temperature range; Gold coatings; Gold deposits; Microelectronics; Nanoparticles; Silicon; Electric properties

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Resumen:

The dithioloctane-treatment of C60 film was shown to ensure the deposition on it of gold nanoparticles with the controlled size and shape leading to enhancement of the Au/C60/n-Si structure photocurrent due to the excitation of local plasmons in metal nanoparticles. In this work the detailed investigation of the electrical properties of these structures with the pristine and dithioloctane-treated C60 interlayers was made. The current-voltage and capacitance-voltage dependencies were measured in the temperature range from 80 to 320 K. The mechanisms of the current flow and their parameters were determined. It was shown, that the used of dithioloctane- treatment of C60 layer did not change the mechanisms of the in current flow in Au/C60/n-Si structure, specifically, in a decrease of the series resistance, determined by C60 layer, and in a decrease of the effective height of barrier for the reverse current flow. © 2010 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781424472017
Editorial:

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/MIEL.2010.5490508