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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 638456 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 638456

Título del libro: 2014 International Conference On Multimedia Computing And Systems (icmcs)
Título del capítulo: Nonlinear optical absorption in d-MIGFET transistor modulated by electrical field and contact voltage

Autores UNAM:
OUTMANE OUBRAM; MOHAMED ABATAL;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2014

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Palabras clave:

Electric fields; Gallium arsenide; III-V semiconductors; Light absorption; Multiple-gate field-effect transistors; Optical signal processing; Transistors; Absorption co-efficient; Electrical field; Intersubband optical absorptions; Nonlinear optical absorption; Optical intensities; Optical quantities; Optical transistors; Theoretical study; Nonlinear optics

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Resumen:

The theoretical study of linear and nonlinear optical absorption in a GaAs n-type d-MIGFET transistor is preformed taking into account the effects of applied electric field and contact voltage. From our results, it is found that the position and the magnitude of the linear, nonlinear and total absorption coefficient are quite sensitive to electric field and voltage contact. Besides, the incident optical intensity has a great effect on these optical quantities. These properties are desirable for controlling the optical absorption in optical transistor application. © 2014 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781479938247
Editorial:
IEEE Computer Society

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ICMCS.2014.6911356