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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 684252 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 684252

Título del libro: 2015 12th International Conference On Electrical Engineering, Computing Science And Automatic Control, Cce 2015
Título del capítulo: Effect of chamber pressure on red emission from silicon thin films deposited by means of hot-wire CVD

Autores UNAM:
ATEET DUTT;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2015

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Palabras clave:

Amorphous films; Automation; Chemical bonds; Chemical vapor deposition; Fourier transform infrared spectroscopy; Nanocrystalline silicon; Nanocrystals; Oxide films; Photoluminescence; Pressure; Pressure effects; Process control; Silicon; Silicon oxides; Thin films; Vapor deposition; X ray diffraction; Filament materials; Hot wire chemical vapor deposition; Low substrate temperature; Nanocrystalline silicon (nc si); Photoluminescence spectrum; Reaction chambers; Silicon thin film; Visible PL; Amorphous silicon

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Resumen:

Nanocrystalline silicon (nc-Si) embedded in amorphous silicon oxide (a-SiOx) films were prepared by hot wire chemical vapor deposition (HW-CVD), also known as catalytic CVD (Cat-CVD) method. In this study, Tungsten (W) filament material was employed for decomposing the source gases in the reaction chamber. Effect of chamber pressure on the phase transition in silicon oxide (SiOx) has been studied by using X-Ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy techniques. A relationship between phase transition of thin film and Si-H bonding has been recognized and explained by using Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The samples deposited at low substrate temperature of 200°C, has shown photoluminescence spectra in the red region and emission of spectra has been found to be in correlation with the size of nc-Si and/or defects present in the thin film. © 2015 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781467378390
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ICEEE.2015.7357915