Autores UNAM:
XAVIER MATHEW;

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Número de solicitud:
MX/A/2012/013219

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Fecha de presentacion:
14/11/2012

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Numero de concesion:
348539

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Fecha de concesión:
01/06/2017

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Resumen:

Se describe un sistema automático para la detección de trampas en materiales semiconductores, permite determinar la energía de activación de las trampas en los niveles profundos y poco profundos de la brecha de energía, utilizando la técnica PICTS. Este sistema permite la adquisición de información, su procesamiento, análisis y grafica los resultados en tiempo real en forma automática mediante un software desarrollado para este sistema. El sistema de la presente invención es una unidad que permite una fácil implementación para la caracterización de semiconductores. Entre sus ventajas se encuentra: Reducir la intervención de un operador; Reducir tiempo de análisis y Presentar resultados en forma visual y en tiempo real.

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Entidades por adscripción en la UNAM:
Instituto de Energías Renovables;