SISTEMA INTEGRAL DE INFORMACIÓN ACADÉMICA - PÚBLICO
Influencia de la potencia de RF y la presión en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD
Sinodales: GUILLERMO SANTANA RODRIGUEZ;
Autores: Gómez González, Luis AndrésTipo de tesis: Tesis de MaestríaEntidad presentadora de examen profesional: Instituto de Investigaciones en MaterialesEntidades por adscripción en la UNAM:
Instituto de Investigaciones en Materiales;