Influencia de la potencia de RF y la presión en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD

Sinodales:
GUILLERMO SANTANA RODRIGUEZ;
Autores:
Gómez González, Luis Andrés
Tipo de tesis:
Tesis de Maestría
Entidad presentadora de examen profesional:
Instituto de Investigaciones en Materiales
Entidades por adscripción en la UNAM:
Instituto de Investigaciones en Materiales;