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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 411728 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 411728

Título del libro: Hafnium-Indium-Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Hfo2 As Gate Dielectric, With Both Layers Deposited By Rf Sputtering

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2016

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Palabras clave:

Dielectric materials; Gate dielectrics; Hafnium; Hafnium oxides; Indium; Microelectronics; Oxide semiconductors; Students; Thin film transistors; Thin films; Transistors; Zinc; Zinc oxide, Amorphous oxide semiconductor (AOS); AOSTFTs; Electrical performance; Hafnium indium zinc oxides; Operation voltage; Output characteristics; RF-sputtered HfO₂; RF-sputtered HIZO, Thin film circuits

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Resumen:

The electrical performance of RF magnetron sputtered Hafnium-Indium-Zinc-Oxide-based thin film transistors (HIZO TFTs) is compared using two different gate dielectrics: A) RF sputtered HfO2 and b) thermally grown SiO2. For HfO2 devices, output characteristics showed higher drain-currents capabilities with a reduction of the TFT operation voltage range from 0-15 V, when using SiO2, to 0-8 V. The HfO2 dielectric constant was around 15, measured at 1 kHz. Vt was less than 2 V for HfO2 devices and around 5 V for SiO2 devices. © 2016 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781509027880
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/SBMicro.2016.7731318