JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA



DATOS GENERALES
Nombre completo   JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA
Máximo nivel de estudios  
Antigüedad académica en la UNAM   4 años
NOMBRAMIENTOS
Último  PROFESOR DE CARRERA ASOCIADO C TC No Definitivo
Facultad de Ingeniería
PROFESOR DE CARRERA ASOCIADO C TC No Definitivo
Facultad de Ingeniería
Desde 01-05-2010 hasta 15-03-2013
PROFESOR DE CARRERA TITULAR A TC No Definitivo
Facultad de Ingeniería
Desde 16-10-2009 hasta 31-01-2010
ESTIMULOS, PROGRAMAS, PREMIOS Y RECONOCIMIENTOS
* SNI I2015 - 2023
* SNI I2011 - 2013
INFORMACIÓN DE PUBLICACIONES
Firmas  
Tinoco J. Tinoco J.C. Tinoco, J. Tinoco, J.C. Tinoco-Magaña J.C.
ID's SCOPUS  
9736068200
Áreas de conocimiento  
Engineering, electrical & electronic Engineering, electrical and electronic Instruments and instrumentation Materials science, biomaterials Materials science, coatings & films
Materials science, coatings and films Materials science, multidisciplinary Optics Physics, applied Condensed matter physics
Chemistry (miscellaneous) Electrical and Electronic Engineering Electronic, optical and magnetic materials Instrumentation Materials Chemistry
Mechanical engineering Metals and Alloys Radiation Safety, Risk, Reliability and Quality
Coautorías con entidades de la UNAM  
  • Facultad de Ingeniería
  • Escuela Nacional de Enfermería y Obstetricia
 Revistas en las que ha publicado  (26):
  1. 2012 8th International Caribbean Conference On Devices, Circuits And Systems, Iccdcs 2012, (2012)
  2. 2013 Ieee 13th Topical Meeting On Silicon Monolithic Integrated Circuits In Rf Systems, Sirf 2013 - Rww 2013, (2013)
  3. Avances en Quimica, Venezuela (2014)
  4. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Estados Unidos America (2018)
  5. Ieee International Conference On Microelectronic Test Structures, (2010)
  6. IEEE International SOI Conference, Estados Unidos America (2010)
  7. IEEE Journal of the Electron Devices Society, Estados Unidos America (2020)
  8. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Estados Unidos America (2013, 2016, 2018, 2019)
  9. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, Estados Unidos America (2013)
  10. IET SCIENCE MEASUREMENT & TECHNOLOGY, Reino Unido (2021)
  11. International Conference On Solid-State And Integrated Circuits Technology Proceedings, Icsict, (2004)
  12. INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS, Estados Unidos America (2010, 2015)
  13. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, Países Bajos (2020, 2024)
  14. JOURNAL OF NANOPHOTONICS, Estados Unidos America (2022)
  15. MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-MATERIALS FOR BIOLOGICAL APPLICATIONS, Países Bajos (2017)
  16. Materials Today Communications, Reino Unido (2024)
  17. MICROELECTRON RELIAB, Reino Unido (2003, 2008, 2017)
  18. MICROMACHINES, Suiza (2022)
  19. Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS, Estados Unidos America (2004)
  20. Proceedings Of The International Conference On Microelectronics, (2004)
  21. Proceedings Of The Sixth International Caribbean Conference On Devices, Circuits And Systems, Iccdcs 2006 - Final, (2006)
  22. Sbmicro 2015 - 30th Symposium On Microelectronics Technology And Devices, (2015)
  23. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Reino Unido (2008, 2016, 2018)
  24. SENSORS, Suiza (2021)
  25. SOLID-STATE ELECTRONICS, Estados Unidos America (2008, 2011, 2013, 2017)
  26. Thin Solid Films, Suiza (2006, 2009, 2014)


Descargar PDF

Documentos indexados (WoS y Scopus)

# Título del documento Autores Año Revista Fuente Citas WoS Citas Scopus
1Analysis of optical and electrical properties in CZTSSe thin film solar cells through the 2d theoretical modelingCoautor: Tinoco J.C., Zuñiga I., Conde J., Meza-Avendaño C., et al.2024Materials Today CommunicationsWoS-id: 001243017700001
Scopus-id: 2-s2.0-85193540250
12
2Influence of PVP molecular weight on TiO2 structures prepared by the electrospinning and sol?gel methodCoautor: Tinoco J.C., Avalos-Grajales J., Martinez-Lopez A.G., Reyes-Gasga J.2024JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICSWoS-id: 001253683600011
Scopus-id: 2-s2.0-85196652771
00
3Gadolinium-based micro and nanophosphors: A comparative study of properties and synthesis methodsCoautor: Tinoco J.C., Gutiérrez Franco A., Meza Rocha A.N., Lozada Morales R., et al.2022JOURNAL OF NANOPHOTONICSWoS-id: 000777491700002
Scopus-id: 2-s2.0-85127826756
00
4Impact of the Semiconductor Defect Density on Solution-Processed Flexible Schottky Barrier Diodes1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Hernandez S.A., Olvera M.L., Estrada M., et al.2022MICROMACHINESWoS-id: 000801875300001
Scopus-id: 2-s2.0-85130968941
22
5Silicon based coplanar capacitive device for liquid sensor applicationsCoautor: Tinoco J.C., Martinez-Lopez A.G., Guzmán-Caballero D.E., Mejia I.2021SENSORSWoS-id: 000695605000001
Scopus-id: 2-s2.0-85114742536
12
6Flexible capacitor characterisation using algebraic parameter identification approachCoautor: Tinoco J.C., Martínez-Lopez A.G., Portillo-Vélez R.D.J., Rueda D.A., et al.2021IET SCIENCE MEASUREMENT & TECHNOLOGYScopus-id: 2-s2.0-85100579927
00
7Fabrication of Schottky barrier diodes based on ZnO for flexible electronics1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Hernández S.A., Rodríguez-Bernal O., Vega-Poot A.G., et al.2020JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICSWoS-id: 000505378900002
Scopus-id: 2-s2.0-85077268747
1112
8DC and 28 GHz Reliability of a SOI FET TechnologyCoautor: Tinoco J.C., Gutierrez-D. E.A., Mendez-V. J., Rios E.T., et al.2020IEEE Journal of the Electron Devices SocietyWoS-id: 000531313400003
Scopus-id: 2-s2.0-85084281324
11
9Features of the Nonlinear Harmonic Distortion in AOSTFTsCoautor: Tinoco J., Hernandez-Barrios Y., Cerdeira A., Iniguez B.2019IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESWoS-id: 000502043000020
Scopus-id: 2-s2.0-85076378082
11
10Extrinsic gate capacitance compact model for UTBB MOSFETs2ᵒ autor: Tinoco J.C., Martinez-Lopez A.G., Lezama G., Conde J.E., et al.2018SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGYWoS-id: 000417500500001
Scopus-id: 2-s2.0-85038612195
12
11A compact drain current model for thin-film transistor under bias stress conditionCoautor: Tinoco J., Garcia R., Mejia I., Molinar-Solis J.E., et al.2018IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESWoS-id: 000430698900022
Scopus-id: 2-s2.0-85045205650
34
12Electrical characterization of schottky diodes based on inkjet-printed TiO2 filmsCoautor: Tinoco J.C., Martinez-Lopez A.G., Padron-Hernandez W.Y., Pourjafari D., et al.2018IEEE ELECTRON DEVICE LETTERSWoS-id: 000451587200029
Scopus-id: 2-s2.0-85054548998
1012
13Physicochemical properties of polycaprolactone/collagen/elastin nanofibers fabricated by electrospinningCoautor: Tinoco-Magaña J.C., Aguirre-Chagala Y.E., Altuzar V., León-Sarabia E., et al.2017MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-MATERIALS FOR BIOLOGICAL APPLICATIONSWoS-id: 000405541600103
Scopus-id: 2-s2.0-85016012391
6467
14Crystalline-like temperature dependence of the electrical characteristics in amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistorsCoautor: Tinoco, J., Estrada, M., Hernandez-Barrios, Y., Cerdeira, A., et al.2017SOLID-STATE ELECTRONICSWoS-id: 000408038600007
Scopus-id: 2-s2.0-85021361751
710
15Characterization of MIS structures and thin film transistors using RF-sputtered HfO2/HIZO layersCoautor: Tinoco J., Hernandez I., Pons-Flores C.A., Garduño I., et al.2017MICROELECTRON RELIABWoS-id: 000409291200002
Scopus-id: 2-s2.0-85020838092
23
16Modelling and extraction procedure for gate insulator and fringing gate capacitance components of an MIS structure1ᵉʳ autor: Tinoco, J.C., Martinez-Lopez, A.G., Lezama, G., Mendoza-Barrera, C., et al.2016SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGYWoS-id: 000378201700019
Scopus-id: 2-s2.0-84976276660
33
17Parasitic Gate Resistance Impact on Triple-Gate FinFET CMOS Inverter2ᵒ autor: Tinoco J.C., Solis Avila E., Martinez-Lopez A.G., Reyes-Barranca M.A., et al.2016IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESWoS-id: 000378607100001
Scopus-id: 2-s2.0-84971384527
711
18RF modeling of 40-nm SOI triple-gate FinFETCoautor: Tinoco J.C., Martinez-Lopez A.G., Cerdeira A., Alvarado J., et al.2015INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDSWoS-id: 000355870800010
Scopus-id: 2-s2.0-84930394562
811
19Characterization of HfO2 on Hafnium-Indium-Zinc Oxide HIZO layer metal-insulator-semiconductor structures deposited by RF sputteringCoautor: Tinoco J., Hernandez I., Estrada M., Garduno I., et al.2015Sbmicro 2015 - 30th Symposium On Microelectronics Technology And DevicesScopus-id: 2-s2.0-84961769012
03
20Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin film transistorsCoautor: Tinoco J., Estrada M., Gutierrez-Heredia G., Cerdeira A., et al.2014Thin Solid FilmsWoS-id: 000346056700004
Scopus-id: 2-s2.0-84915811673
89
21Alternativas actuales del manejo de lixiviadosCoautor: Tinoco-Magaña J.C., Martinez-Lopez A.G., Padrón-Hernández W., Rodríguez-Bernal O.F., et al.2014Avances en QuimicaScopus-id: 2-s2.0-84902193026
03
22Impact of extrinsic capacitances on FinFet RF performance1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Rodriguez, SS, Martinez-Lopez A.G., Alvarado J., et al.2013IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUESWoS-id: 000314827300015
Scopus-id: 2-s2.0-84873412517
4047
23Charge based DC compact modeling of bulk FinFET transistorCoautor: Tinoco J., Cerdeira A., Garduno, I, Ritzenthaler R., et al.2013SOLID-STATE ELECTRONICSWoS-id: 000322942200003
Scopus-id: 2-s2.0-84878149036
88
24Parasitic gate capacitance model for triple-gate finfets2ᵒ autor: Tinoco J.C., Rodriguez S.S., Martinez-Lopez A.G., Alvarado J., et al.2013IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESWoS-id: 000326263200015
Scopus-id: 2-s2.0-84887227469
4650
25SOI FinFET compact model for RF circuits simulation2ᵒ autor: Tinoco J.C., Alvarado J., Salas S., Martinez-Lopez A.G., et al.20132013 Ieee 13th Topical Meeting On Silicon Monolithic Integrated Circuits In Rf Systems, Sirf 2013 - Rww 2013Scopus-id: 2-s2.0-84875983235
013
26Fringing gate capacitance model for triple-gate FinFET2ᵒ autor: Tinoco J.C., Salas S., Martinez-Lopez A.G., Alvarado J., et al.20132013 Ieee 13th Topical Meeting On Silicon Monolithic Integrated Circuits In Rf Systems, Sirf 2013 - Rww 2013Scopus-id: 2-s2.0-84875989907
08
27Drain current model for bulk strained silicon NMOSFETs1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Alvarado J., Martinez-Lopez A.G., Iñiguez B., et al.20122012 8th International Caribbean Conference On Devices, Circuits And Systems, Iccdcs 2012Scopus-id: 2-s2.0-84860998481
03
28Mobility degradation and transistor asymmetry impact on field effect transistor access resistances extraction1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Martinez-Lopez A.G., Raskin, JP2011SOLID-STATE ELECTRONICSWoS-id: 000287272000039
Scopus-id: 2-s2.0-78751649320
43
29New RF extrinsic resistances extraction procedure for deep-submicron MOS transistors1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Raskin J.-P.2010INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDSWoS-id: 000274597300003
Scopus-id: 2-s2.0-76649112368
1316
30New RF intrinsic parameters extraction procedure for advanced MOS transistors1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Martinez-Lopez A.G., Emam M., Raskin J.-P.2010Ieee International Conference On Microelectronic Test StructuresWoS-id: 000287371500017
Scopus-id: 2-s2.0-77953892882
01
31Non-linear analysis of n-type Schottky-Barrier MOSFETs1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Urban C., Emam M., Mantl S., et al.2010IEEE International SOI ConferenceScopus-id: 2-s2.0-78650537657
00
32Analysis and simulation of the post-breakdown leakage current in electrically stressed TiO2/SiO2 gate stacks2ᵒ autor: Tinoco J., Miranda E., Garduno I., Estrada M., et al.2009Thin Solid FilmsWoS-id: 000262346900036
Scopus-id: 2-s2.0-56949084576
00
33Threshold voltage model for bulk strained-silicon NMOSFETs1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Garcia R., Niguez, BI, Cerdeira A., et al.2008SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGYWoS-id: 000254385900017
Scopus-id: 2-s2.0-42549169773
44
34Conduction mechanisms of silicon oxide/titanium oxide MOS stack structures1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Estrada M., Iniguez, B, Cerdeira A.2008MICROELECTRON RELIABWoS-id: 000254692400006
Scopus-id: 2-s2.0-39449119505
2224
35High-temperature DC and RF behaviors of partially-depleted SOI MOSFET transistors2ᵒ autor: Tinoco J.C., Emam M., Vanhoenacker-Janvier D., Raskin J.-P.2008SOLID-STATE ELECTRONICSWoS-id: 000261816700016
Scopus-id: 2-s2.0-56049091761
2630
36Room temperature plasma oxidation: A new process for preparation of ultrathin layers of silicon oxide, and high dielectric constant materials1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Estrada M., Baez H., Cerdeira A.2006Thin Solid FilmsWoS-id: 000234124700058
Scopus-id: 2-s2.0-28044447444
2325
37Dependence with pressure and temperature of the plasma oxidation mechanism applied to ultrathin oxidesCoautor: Tinoco J.C., Garduño I., Saint-Cast P., Estrada M.2006Proceedings Of The Sixth International Caribbean Conference On Devices, Circuits And Systems, Iccdcs 2006 - FinalScopus-id: 2-s2.0-34250736277
01
38Room Temperature Plasma Oxidation (RTPO): A new approach to obtain ultrathin layers of SiO2 and high K dielectrics2ᵒ autor: Tinoco J.C., Estrada M., Cerdeira A.2004International Conference On Solid-State And Integrated Circuits Technology Proceedings, IcsictScopus-id: 2-s2.0-21644437390
00
39Room Temperature Plasma Oxynitridation Process, (RTPON), to obtain ultrathin dielectric films1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Estrada M.2004Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCSScopus-id: 2-s2.0-28444438046
00
40Electrical characterization of MOS capacitors with SiO 2-TiO 2 dielectric stack made by room temperature plasma oxidationCoautor y autor de correspondencia: Tinoco J.C., Báez H., Estrada M.2004Proceedings of the IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCSScopus-id: 2-s2.0-28444478317
01
41Characterization of ultrathin SiO 2 films obtained by room temperature plasma oxidation of silicon1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Estrada M.2004Proceedings Of The International Conference On MicroelectronicsScopus-id: 2-s2.0-3142663941
05
42Room temperature plasma oxidation mechanism to obtain ultrathin silicon oxide and titanium oxide layers1ᵉʳ autor: Tinoco J.C., Estrada M., Romero G.2003MICROELECTRON RELIABWoS-id: 000183342500010
Scopus-id: 2-s2.0-0038527305
3840
Descargar PDF

Documentos no indexados (Humanindex)

# Título del documento ISSN Revista Año Fuente
Descargar PDF

Capítulos de libros (WoS y Scopus)

# Título del capítulo Título del libro Autores Alcance Año ISBN Fuente
1RF and DC degradation of a SOI FET technologyLatin American Electron Devices Conference, Laedc 2019Tinoco J., Gutierrez D.E.A., Mendez V.J., et al.Conference Paper20199781728122168Scopus-id: 2-s2.0-85067198435
2Analysis of energy consumption due to electrical charging gadgets within educational facilities2019 Ieee International Conference On Engineering Veracruz, Icev 2019Martinez A., Tinoco J., Vidal A., et al.Conference Paper20199781728133041Scopus-id: 2-s2.0-85077185863
3Hafnium-Indium-Zinc oxide thin film transistors using HfO2 as gate dielectric, with both layers deposited by RF sputteringHafnium-Indium-Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Hfo2 As Gate Dielectric, With Both Layers Deposited By Rf SputteringTinoco, J., Pons-Flores, C.A., Hernandez, I., et al.Conference Paper20169781509027880Scopus-id: 2-s2.0-85007395493
4Extraction procedure for MOS structure fringing gate capacitance components2015 Ieee Nuclear Science Symposium And Medical Imaging Conference, Nss/mic 2015Tinoco J.C., Martínez-López A.G., Lezama G., et al.Conference Paper20160978147E12 Scopus-id: 2-s2.0-84964330418
5Effect of the capture cross section of bulk traps in amorphous materials on the frequency dependence of the Capacitance-Voltage characteristic of MIS structures2015 Ieee Nuclear Science Symposium And Medical Imaging Conference, Nss/mic 2015Tinoco J.C., Estrada M., Cerdeira A., et al.Conference Paper20160978147E12 Scopus-id: 2-s2.0-84964335920
6SOI FinFET compact model for RF circuits simulation2013 Ieee 13th Topical Meeting On Silicon Monolithic Integrated Circuits In Rf Systems (sirf)Tinoco, J. C., Alvarado, J., Salas, S., et al.Proceedings Paper20139781467315531WoS-id: 000320727000030
7Fringing Gate Capacitance Model for Triple-Gate FinFET2013 Ieee 13th Topical Meeting On Silicon Monolithic Integrated Circuits In Rf Systems (sirf)Tinoco, J. C., Salas, S., Martinez-Lopez, A. G., et al.Proceedings Paper20139781467315531WoS-id: 000320727000031
8Impact of extrinsic capacitances on FinFETs RF performance2012 Ieee 12th Topical Meeting On Silicon Monolithic Integrated Circuits In Rf Systems, Sirf 2012 - Digest Of PapersTinoco J.C., Alvarado J., Martinez-Lopez A.G., et al.Conference Paper20129781457713163Scopus-id: 2-s2.0-84858737567
9Compact small-signal model for RF FinFETs2012 8th International Caribbean Conference On Devices, Circuits And Systems, Iccdcs 2012Tinoco J.C., Alvarado J., Kilchytska V., et al.Conference Paper20129781457711169Scopus-id: 2-s2.0-84860993103
10RF compact small-signal model for SOI DG-MOSFETs2010 27th International Conference On Microelectronics, Miel 2010 - ProceedingsTinoco J.C., Cerdeira A., Estrada M., et al.Conference Paper20109781424472017Scopus-id: 2-s2.0-77955196223
11MuGFETs for microwave and millimeter wave applicationsIcsict-2010 - 2010 10th Ieee International Conference On Solid-State And Integrated Circuit Technology, ProceedingsTinoco J.C., Raskin J.-P., Cerdeira A., et al.Conference Paper20109781424457984Scopus-id: 2-s2.0-78751481273
12RF-extraction methods for mosfet series resistances: A fair comparisonProceedings Of The 7th International Caribbean Conference On Devices, Circuits And Systems, IccdcsTinoco J.C., Raskin J.-P., Conference Paper20089781424419579Scopus-id: 2-s2.0-51049100619
13Revised RF extraction methods for deep submicron MOSFETs2008 European Microwave Integrated Circuit Conference, Eumic 2008Tinoco J.C., Raskin J.-P., Conference Paper20089782874870071WoS-id: 000268721400033
Scopus-id: 2-s2.0-66649125207
14Equivalent electrical circuit model for the post breakdown current in SiO2/TiO22 gate stacks2007 Spanish Conference On Electron Devices, ProceedingsTinoco J., Miranda E., Garduno I., et al.Conference Paper20071424408687 WoS-id: 000248485700035
Scopus-id: 2-s2.0-35148876214
Descargar PDF

No se encuentran registros en la base de datos de obras con ISBN (Indautor).

Descargar PDF

No se encuentran registros en la base de datos de proyectos.

Descargar PDF

Participación en Comités de Tesis

# Título del documento Tipo de Tesis Sinodales Autores Año Entidad Url
1Validación experimental del modelo de circuito equivalente de pequeña señal para transistores FinFET de tres compuertasTesis de MaestríaJULIO CESAR TINOCO MAGAÑA; Hernández Román, Mario Alberto; 2014
2Optimización de los efectos parásitos en transistores finfet de tres compuertas para aplicaciones analógicas de muy alta frecuenciaTesis de MaestríaJULIO CESAR TINOCO MAGAÑA; Antonio Flores, Lorenzo; 2013Facultad de Ingeniería,
3Análisis de distorsión armónica en transistores SB-MosfetTesis de MaestríaJULIO CESAR TINOCO MAGAÑA; Nicolás Pablo, Aleidi; 2012Facultad de Ingeniería,
4Extracción del modelo de circuito equivalente de pequeña-señal de transistores FinFETTesis de LicenciaturaJULIO CESAR TINOCO MAGAÑA; Antonio Flores, Lorenzo; 2011Facultad de Ingeniería,
5Extracción de capacitancias parásitas de transistores FinFETs de tres compuertasTesis de LicenciaturaJULIO CESAR TINOCO MAGAÑA; Lucario Matías, David; 2011Facultad de Ingeniería,
Descargar PDF

Docencia Impartida

# Entidad Nivel Asignatura Año Semestre Alumnos
1Facultad de IngenieríaMaestríaACTIVIDADES ACADEMICAS ORIENTADAS A LA GRADUACION20132013-21
2Facultad de IngenieríaMaestríaACTIVIDADES ACADEMICAS ORIENTADAS A LA GRADUACION20132013-21
3Facultad de IngenieríaMaestríaACTIVIDADES ACADEMICAS ORIENTADAS A LA GRADUACION20132013-21
4Facultad de IngenieríaMaestríaACTIVIDADES ACADEMICAS ORIENTADAS A LA GRADUACION20132013-21
5Facultad de IngenieríaMaestríaTRABAJO DE INVESTIGACION II20122013-13
6Facultad de IngenieríaMaestríaPROYECTO DE INVESTIGACION I20122013-12
7Facultad de IngenieríaMaestríaTALLER DE INVESTIGACION20122013-12
8Facultad de IngenieríaMaestríaFISICA ELECTRONICA20122013-111
9Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS DE RF20122013-139
10Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS DE RF20122012-224
11Facultad de IngenieríaMaestríaTRABAJO DE INVESTIGACION I20122012-22
12Facultad de IngenieríaMaestríaPROYECTO DE INVESTIGACION I20122012-23
13Facultad de IngenieríaMaestríaTEMAS SELECTOS DE TELECOMUNICACIONES20122012-26
14Facultad de IngenieríaMaestríaTEMAS SELECTOS DE TELECOMUNICACIONES20122012-22
15Facultad de IngenieríaMaestríaSEMINARIO DE INVESTIGACION20112012-117
16Facultad de IngenieríaMaestríaFISICA ELECTRONICA20112012-118
17Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS DE RF20112012-138
18Facultad de IngenieríaLicenciaturaRECEPTORES20112012-130
19Facultad de IngenieríaLicenciaturaRECEPTORES20112011-212
20Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS CUANTICOS20112011-22
21Facultad de IngenieríaMaestríaTRABAJO DE INVESTIGACION II20112011-21
22Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS DE RF20112011-216
23Facultad de IngenieríaMaestríaTRABAJO DE INVESTIGACION III20112011-21
24Facultad de IngenieríaMaestríaTEMAS SELECTOS DE TELECOMUNICACIONES20112011-25
25Facultad de IngenieríaMaestríaTEMAS SELECTOS DE TELECOMUNICACIONES20102011-15
26Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS DE RF20102011-127
27Facultad de IngenieríaLicenciaturaTEMAS SELECTOS DE TELECOMUNICACION20102011-12
28Facultad de IngenieríaLicenciaturaRECEPTORES20102011-138
29Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS CUANTICOS20102010-25
30Facultad de IngenieríaLicenciaturaSEMINARIO DE TITULACION20102010-21
31Facultad de IngenieríaLicenciaturaRECEPTORES20102010-25
32Facultad de IngenieríaLicenciaturaFISICA DE SEMICONDUCTORES20092010-134
33Facultad de IngenieríaLicenciaturaTEM.SEL.DE ELECTRONICA20092010-111
34Facultad de IngenieríaLicenciaturaDISPOSITIVOS CUANTICOS20092010-19
35Facultad de IngenieríaMaestríaTEMAS SELECTOS DE SISTEMAS ELECTRONICOS20092010-12
Descargar PDF

No se encuentran registros en la base de datos de patentes.

Descargar PDF

No se encuentran registros en la base de datos de libros completos (Humanindex).

Descargar PDF

Capítulos de libros (Humanindex)

# Título del libro Título del capítulo ISBN Editorial Año Fuente