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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 535443 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 535443

Título del libro: Latin American Electron Devices Conference, Laedc 2019
Título del capítulo: RF and DC degradation of a SOI FET technology

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2019

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Palabras clave:

Electron devices; 28 GHz; 45 nm SOI; Barrier lowering; Gate voltages; IV characteristics; RF applications; Self-healing; SOI technology; Threshold voltage

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Resumen:

We introduce experimental results of the I-V characteristics degradation of a Silicon SOI technology for RF applications when exposed to both; a 28 GHz and a DC stress input signals. Then we compare the effect of DC and RF stress on threshold voltage and Drain-Induce-Barrier-Lowering reliability. We observe that reliability under RF stress is gate voltage dependent, and in some cases an improvement of the 1-V characteristics is observed. A hypothetical explanation for the degradation/enhancement under RF stress is attributed to self-heating and self-healing (SH2). © 2019 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781728122168
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/LAED.2019.8714742